Warning: mysql_fetch_array() expects parameter 1 to be resource, boolean given in /home/newdedyk/domains/bkmanuals.com/public_html/includes/pages/manual_inc.php on line 26
Cypress nvSRAM manuale d’uso - BKManuals
Italiano dropdown-ico

Cypress nvSRAM manuale d’uso

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24

Vai alla pagina of

Manuali d’uso simili

Un buon manuale d’uso

Le regole impongono al rivenditore l'obbligo di fornire all'acquirente, insieme alle merci, il manuale d’uso Cypress nvSRAM. La mancanza del manuale d’uso o le informazioni errate fornite al consumatore sono la base di una denuncia in caso di inosservanza del dispositivo con il contratto. Secondo la legge, l’inclusione del manuale d’uso in una forma diversa da quella cartacea è permessa, che viene spesso utilizzato recentemente, includendo una forma grafica o elettronica Cypress nvSRAM o video didattici per gli utenti. La condizione è il suo carattere leggibile e comprensibile.

Che cosa è il manuale d’uso?

La parola deriva dal latino "instructio", cioè organizzare. Così, il manuale d’uso Cypress nvSRAM descrive le fasi del procedimento. Lo scopo del manuale d’uso è istruire, facilitare lo avviamento, l'uso di attrezzature o l’esecuzione di determinate azioni. Il manuale è una raccolta di informazioni sull'oggetto/servizio, un suggerimento.

Purtroppo, pochi utenti prendono il tempo di leggere il manuale d’uso, e un buono manuale non solo permette di conoscere una serie di funzionalità aggiuntive del dispositivo acquistato, ma anche evitare la maggioranza dei guasti.

Quindi cosa dovrebbe contenere il manuale perfetto?

Innanzitutto, il manuale d’uso Cypress nvSRAM dovrebbe contenere:
- informazioni sui dati tecnici del dispositivo Cypress nvSRAM
- nome del fabbricante e anno di fabbricazione Cypress nvSRAM
- istruzioni per l'uso, la regolazione e la manutenzione delle attrezzature Cypress nvSRAM
- segnaletica di sicurezza e certificati che confermano la conformità con le norme pertinenti

Perché non leggiamo i manuali d’uso?

Generalmente questo è dovuto alla mancanza di tempo e certezza per quanto riguarda la funzionalità specifica delle attrezzature acquistate. Purtroppo, la connessione e l’avvio Cypress nvSRAM non sono sufficienti. Questo manuale contiene una serie di linee guida per funzionalità specifiche, la sicurezza, metodi di manutenzione (anche i mezzi che dovrebbero essere usati), eventuali difetti Cypress nvSRAM e modi per risolvere i problemi più comuni durante l'uso. Infine, il manuale contiene le coordinate del servizio Cypress in assenza dell'efficacia delle soluzioni proposte. Attualmente, i manuali d’uso sotto forma di animazioni interessanti e video didattici che sono migliori che la brochure suscitano un interesse considerevole. Questo tipo di manuale permette all'utente di visualizzare tutto il video didattico senza saltare le specifiche e complicate descrizioni tecniche Cypress nvSRAM, come nel caso della versione cartacea.

Perché leggere il manuale d’uso?

Prima di tutto, contiene la risposta sulla struttura, le possibilità del dispositivo Cypress nvSRAM, l'uso di vari accessori ed una serie di informazioni per sfruttare totalmente tutte le caratteristiche e servizi.

Dopo l'acquisto di successo di attrezzature/dispositivo, prendere un momento per familiarizzare con tutte le parti del manuale d'uso Cypress nvSRAM. Attualmente, sono preparati con cura e tradotti per essere comprensibili non solo per gli utenti, ma per svolgere la loro funzione di base di informazioni e di aiuto.

Sommario del manuale d’uso

  • Pagina 1

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N 2 Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-45754 Rev . *B Revised November 10, 2008 Features ■ 20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times ■ Internally organized as 256K x 8 (CY14B102L) or 128K x 16 (CY14B102[...]

  • Pagina 2

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 2 of 24 Pinout s Figure 1. Pin Diagram - 48 FBG A Figure 2. Pin Diag ram - 44 Pin TSOP II 48-FBGA (not to scale) Top View (x8) 48-FBGA (not to scale) Top View (x16) WE V CC A 11 A 10 V CAP A 6 A 0 A 3 CE NC NC DQ0 A 4 A 5 NC DQ2 DQ3 NC V SS A 9 A 8 OE V SS A 7 NC NC NC A 17 A 2 A [...]

  • Pagina 3

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 3 of 24 Figure 3. Pin Diagram - 54 Pi n TSOP II (x16) Pin Definitions Pin Name IO T ype Description A 0 – A 17 Input Address Inputs Used to Select one of the 262,144 bytes of the nvSRAM for x8 Co nfiguration . A 0 – A 16 Address Inputs Used to Select one of the 131,072 words o[...]

  • Pagina 4

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 4 of 24 Device Operation The CY14B102L/CY1 4B102N nvSRAM is made up of two functional components paired in the same physical cell. They are an SRAM memory cell and a nonvola tile QuantumTrap cell. The SRAM memory cell operates as a standard fast static RAM. Data in the SRAM is tra[...]

  • Pagina 5

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 5 of 24 completion of the STORE operation, the CY14B102L/CY14B102N remains disab led until the HSB pin returns HIGH. Lea ve the HSB unconnected if it is not used. Hardware RECALL (Power Up) During power up or after any low power condition (V CC <V SWITCH ), an internal RECALL r[...]

  • Pagina 6

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 6 of 24 Preventing AutoStore The AutoS t ore function is disabled by initiating an AutoS tore disable sequence. A sequence of read ope rations is performed in a manner similar to the software STORE initiation. T o initiate the AutoS tore disa ble sequence, the followi ng sequence [...]

  • Pagina 7

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 7 of 24 Maximum Ratin gs Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guid elines are not tested. S torage T emperature .......... ....................... –65 ° C to +150 ° C Maximum Accumulated Storage T ime ............At 150 ° C Ambient T [...]

  • Pagina 8

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 8 of 24 AC T est Conditions Input Pulse Levels ......... ............... .............. .............. 0V to 3V Input Rise and Fall T imes (10% - 90%)...... .............. .... < 3 ns Input and Output T iming Reference Levels . ............... .... 1.5V Dat a Retention and Endu[...]

  • Pagina 9

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 9 of 24 AC Switching Characteristics Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Cypress Parameters Alt Parameters Min Max Min Ma x Min Max SRAM Read Cycle t ACE t ACS Chip Enable Access Time 20 25 45 ns t RC [15] t RC Read Cycle T ime 20 25 45 ns t AA [16] t AA Address Access T[...]

  • Pagina 10

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 10 of 24 Figure 7. SRAM Read Cycl e #2: CE and OE Controlled [3, 15, 19] Figure 8. SRAM Write Cycle #1: WE Controlled [3, 18, 19, 20] $GGUHVV9D OLG $G GUH VV 'DWD2XWSXW 2XWS XW 'DWD9D OL G 6W DQGE $FWL YH +L JK ,P S HG DQ FH &( 2( %+(%/ ( , &am[...]

  • Pagina 11

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 1 1 of 24 Figure 9. SRAM Write Cycle #2: CE Controlled [3 , 18, 19, 20] Figure 10. SRAM Write Cycle #3: BHE and BLE Controlled [3, 18, 19, 20] 'D WD  2XW SX W 'DWD,QSXW ,QSXW 'D WD9DO LG +L JK ,P SH G DQ FH $GGUHVV9 DOLG $GGUHV V W :& W 6'[...]

  • Pagina 12

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 12 of 24 AutoStore/Power Up RECALL Parameters Descrip tion 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t HRECALL [21] Power Up RECALL Duration 20 20 20 ms t STORE [22] ST ORE Cycle Duration 8 8 8 m s t DELA Y [23] Time Allowed to Complete SRAM Cycle 20 25 25 ns V SWITCH Low V o[...]

  • Pagina 13

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 13 of 24 Sof tware Controlled STORE/RECALL Cycle In the following table, the so ftware c o ntrolled STORE/RECALL cycle p arameters are listed. [26, 27] Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t RC STORE/RECALL Initiation Cycle T ime 20 25 45 ns t SA A[...]

  • Pagina 14

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 14 of 24 Hardware STORE Cycle Parameters Descrip tion 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t DHSB HSB T o Outp ut Active Time when write latch not set 20 25 25 ns t PHSB Hardware STORE Pulse Wid t h 15 15 15 ns t SS [28, 29] Soft Sequence Proc essing T ime 100 1 00 100 ?[...]

  • Pagina 15

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 15 of 24 T ruth T able For SRAM Operations HSB should remain HIGH for SRAM Operations. For x8 Configuration CE WE OE Inputs/Outputs [2 ] Mode Power H X X High Z Deselect/Power down S tandby L H L Data Out (DQ 0 –DQ 7 ); Read Active L H H High Z Output Disabled Active L L X Data [...]

  • Pagina 16

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 16 of 24 Ordering Information Speed (ns) Ordering Code Package Diagram Package T yp e Operating Range 20 CY14B102L-ZS20XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS20XIT 51-85087 44-pin TSOP II Industrial CY14B102L-ZS20XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B102L-ZS20XA T 51-85087 4[...]

  • Pagina 17

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 17 of 24 25 CY14B102L-ZS25XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS25XIT 51-85087 44-p in TSOP II Industrial CY14B102L-ZS25XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B102L-ZS25XA T 51-85087 44-p in TSOP II Automotive CY14B102N-BA25XCT 51-85128 48-ball FBGA Commercial CY14B102L-BA25X[...]

  • Pagina 18

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 18 of 24 45 CY14B102L-ZS45XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS45XIT 51-85087 44-p in TSOP II Industrial CY14B102L-ZS45XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B102L-ZS45XA T 51-85087 44-p in TSOP II Automotive CY14B102L-BA45XCT 51-85128 48-b all FBGA Commercial CY14B102L-BA45[...]

  • Pagina 19

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 19 of 24 Part Numbering Nomenclature Option: T - T ape & Reel Blank - S td. S peed: 20 - 20ns 45 - 45 ns Data Bus : L - x8 N - x16 Density: 102 - 2 Mb V oltage: B - 3.0V Cypress CY 14 B 102 L - ZS P 20 X C T NVSRAM 14 - Auto Store + Software Store + Hardware Store T em perat u[...]

  • Pagina 20

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 20 of 24 Package Diagrams Figure 16. 44-Pin TSOP II (51-85087) MAX MIN. DIMENSION IN MM (INCH) 11.938 (0.470) PLANE SEATING PIN 1 I.D. 44 1 18.517 (0.729) 0.800 BSC 0° -5° 0.400(0.016) 0.300 (0.012) EJECTOR PIN R G O K E A X S 11.735 (0.462) 10.058 (0.396) 10.262 (0.404) 1.194 ([...]

  • Pagina 21

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 21 of 24 Figure 17. 48 -Ball FBGA - 6 mm x 10 m m x 1.2 mm (51 -85128) Package Diagrams (continued) A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.20 MAX C SEATING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C A1 CORNER TOP VIEW BOTTOM VIEW 2 3 4 3.[...]

  • Pagina 22

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 22 of 24 Figure 18. 54-Pin TSOP II (51-85160) Package Diagrams (continued) 51-85160 -** [+] Feedback[...]

  • Pagina 23

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 23 of 24 Document History Page Document Title: CY14B102L/CY14B102N 2 Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM Document Number: 001-45754 Rev . ECN No. Submission Date Orig. of Change Description of Change ** 2470086 GVCH New Data Sheet *A 2522209 GVCH/AESA 06/27/2008 Added Automo tive tem[...]

  • Pagina 24

    Document #: 001-45754 Rev . *B Revised November 10, 2008 Page 24 of 24 AutoS tore and QuantumT rap are registe red trademarks of Simtek Co rporation. All product s and company name s mentioned in this doc ument are the tr ademarks of thei r respective hol ders. PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N © Cypress Semiconducto r Corporatio n, 2008. The infor[...]