Русский dropdown-ico

Fairchild MOSFET инструкция обслуживания

1
2
3
4
5
6

Идти на страницу of

Похожие руководства по эксплуатации

Хорошее руководство по эксплуатации

Законодательство обязывает продавца передать покупателю, вместе с товаром, руководство по эксплуатации Fairchild MOSFET. Отсутствие инструкции либо неправильная информация, переданная потребителю, составляют основание для рекламации в связи с несоответствием устройства с договором. В законодательстве допускается предоставлении руководства в другой, чем бумажная форме, что, в последнее время, часто используется, предоставляя графическую или электронную форму инструкции Fairchild MOSFET или обучающее видео для пользователей. Условием остается четкая и понятная форма.

Что такое руководство?

Слово происходит от латинского "instructio", тоесть привести в порядок. Следовательно в инструкции Fairchild MOSFET можно найти описание этапов поведения. Цель инструкции заключается в облегчении запуска, использования оборудования либо выполнения определенной деятельности. Инструкция является набором информации о предмете/услуге, подсказкой.

К сожалению немного пользователей находит время для чтения инструкций Fairchild MOSFET, и хорошая инструкция позволяет не только узнать ряд дополнительных функций приобретенного устройства, но и позволяет избежать возникновения большинства поломок.

Из чего должно состоять идеальное руководство по эксплуатации?

Прежде всего в инструкции Fairchild MOSFET должна находится:
- информация относительно технических данных устройства Fairchild MOSFET
- название производителя и год производства оборудования Fairchild MOSFET
- правила обслуживания, настройки и ухода за оборудованием Fairchild MOSFET
- знаки безопасности и сертификаты, подтверждающие соответствие стандартам

Почему мы не читаем инструкций?

Как правило из-за нехватки времени и уверенности в отдельных функциональностях приобретенных устройств. К сожалению само подсоединение и запуск Fairchild MOSFET это слишком мало. Инструкция заключает ряд отдельных указаний, касающихся функциональности, принципов безопасности, способов ухода (даже то, какие средства стоит использовать), возможных поломок Fairchild MOSFET и способов решения проблем, возникающих во время использования. И наконец то, в инструкции можно найти адресные данные сайта Fairchild, в случае отсутствия эффективности предлагаемых решений. Сейчас очень большой популярностью пользуются инструкции в форме интересных анимаций или видео материалов, которое лучше, чем брошюра воспринимаются пользователем. Такой вид инструкции позволяет пользователю просмотреть весь фильм, не пропуская спецификацию и сложные технические описания Fairchild MOSFET, как это часто бывает в случае бумажной версии.

Почему стоит читать инструкции?

Прежде всего здесь мы найдем ответы касательно конструкции, возможностей устройства Fairchild MOSFET, использования отдельных аксессуаров и ряд информации, позволяющей вполне использовать все функции и упрощения.

После удачной покупки оборудования/устройства стоит посвятить несколько минут для ознакомления с каждой частью инструкции Fairchild MOSFET. Сейчас их старательно готовят или переводят, чтобы они были не только понятными для пользователя, но и чтобы выполняли свою основную информационно-поддерживающую функцию.

Содержание руководства

  • Страница 1

    July 2003  2003 Fairchild Semiconductor Corp. FDD6690A Rev EW) FDD6690A 30V N-Channel PowerTrench  MOSFET General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on state resistance and yet maintain low gate charge for superior switc[...]

  • Страница 2

    FDD6690A Rev. EW) Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Units Drain-Source Avalanche Ratings (Note 2) E AS Drain-Source Avalanche Energy Single Pulse, V DD = 15 V, I D = 12A 180 mJ I AS Drain-Source Avalanche Current 12 A Off Characteristics BV DSS Drain–Source Breakdown Voltage[...]

  • Страница 3

    FDD6690A Rev. EW) D R P DS(ON) Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Units Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings I S Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current 2.3 A V SD Drain–Source Diode Forward Voltage V GS = 0 V, I S = 2.3 A (Note 2) 0.76 1.2[...]

  • Страница 4

    FDD6690A Rev. EW) Typical Characteristics 0 20 40 60 80 100 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) I D , DRAIN CURRENT (A) 3.0V 4.0V V GS = 10.0V 3.5V 4.5V 6.0V 5.0V 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 0 20 40 60 80 I D , DRAIN CURRENT (A) R DS(ON) , NORMALIZED DRAIN-SOURCE ON-RESISTANCE V GS = 3.5V 4.0V 5.0V 6.0V 4.5V 10.0V Figure 1. On-Region Char[...]

  • Страница 5

    FDD6690A Rev. EW) Typical Characteristics 0 2 4 6 8 10 0 5 10 15 20 25 Q g , GATE CHARGE (nC) V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V) I D = 12 A V DS = 10V 15V 20V 0 300 600 900 1200 1500 1800 0 5 10 15 20 25 30 V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) CAPACITANCE (pF) C iss C rss C oss f = 1MHz V GS = 0 V Figure 7. Gate Charge Characteristics Figure 8. Capacitan[...]

  • Страница 6

    DISCLAIMER FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESER VES THE RIGHT T O MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE T O ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY , FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICA TION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS P A TENT RIGHTS, N[...]