Cypress CY7C1393BV18 manuel d'utilisation

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Un bon manuel d’utilisation

Les règles imposent au revendeur l'obligation de fournir à l'acheteur, avec des marchandises, le manuel d’utilisation Cypress CY7C1393BV18. Le manque du manuel d’utilisation ou les informations incorrectes fournies au consommateur sont à la base d'une plainte pour non-conformité du dispositif avec le contrat. Conformément à la loi, l’inclusion du manuel d’utilisation sous une forme autre que le papier est autorisée, ce qui est souvent utilisé récemment, en incluant la forme graphique ou électronique du manuel Cypress CY7C1393BV18 ou les vidéos d'instruction pour les utilisateurs. La condition est son caractère lisible et compréhensible.

Qu'est ce que le manuel d’utilisation?

Le mot vient du latin "Instructio", à savoir organiser. Ainsi, le manuel d’utilisation Cypress CY7C1393BV18 décrit les étapes de la procédure. Le but du manuel d’utilisation est d’instruire, de faciliter le démarrage, l'utilisation de l'équipement ou l'exécution des actions spécifiques. Le manuel d’utilisation est une collection d'informations sur l'objet/service, une indice.

Malheureusement, peu d'utilisateurs prennent le temps de lire le manuel d’utilisation, et un bon manuel permet non seulement d’apprendre à connaître un certain nombre de fonctionnalités supplémentaires du dispositif acheté, mais aussi éviter la majorité des défaillances.

Donc, ce qui devrait contenir le manuel parfait?

Tout d'abord, le manuel d’utilisation Cypress CY7C1393BV18 devrait contenir:
- informations sur les caractéristiques techniques du dispositif Cypress CY7C1393BV18
- nom du fabricant et année de fabrication Cypress CY7C1393BV18
- instructions d'utilisation, de réglage et d’entretien de l'équipement Cypress CY7C1393BV18
- signes de sécurité et attestations confirmant la conformité avec les normes pertinentes

Pourquoi nous ne lisons pas les manuels d’utilisation?

Habituellement, cela est dû au manque de temps et de certitude quant à la fonctionnalité spécifique de l'équipement acheté. Malheureusement, la connexion et le démarrage Cypress CY7C1393BV18 ne suffisent pas. Le manuel d’utilisation contient un certain nombre de lignes directrices concernant les fonctionnalités spécifiques, la sécurité, les méthodes d'entretien (même les moyens qui doivent être utilisés), les défauts possibles Cypress CY7C1393BV18 et les moyens de résoudre des problèmes communs lors de l'utilisation. Enfin, le manuel contient les coordonnées du service Cypress en l'absence de l'efficacité des solutions proposées. Actuellement, les manuels d’utilisation sous la forme d'animations intéressantes et de vidéos pédagogiques qui sont meilleurs que la brochure, sont très populaires. Ce type de manuel permet à l'utilisateur de voir toute la vidéo d'instruction sans sauter les spécifications et les descriptions techniques compliquées Cypress CY7C1393BV18, comme c’est le cas pour la version papier.

Pourquoi lire le manuel d’utilisation?

Tout d'abord, il contient la réponse sur la structure, les possibilités du dispositif Cypress CY7C1393BV18, l'utilisation de divers accessoires et une gamme d'informations pour profiter pleinement de toutes les fonctionnalités et commodités.

Après un achat réussi de l’équipement/dispositif, prenez un moment pour vous familiariser avec toutes les parties du manuel d'utilisation Cypress CY7C1393BV18. À l'heure actuelle, ils sont soigneusement préparés et traduits pour qu'ils soient non seulement compréhensibles pour les utilisateurs, mais pour qu’ils remplissent leur fonction de base de l'information et d’aide.

Table des matières du manuel d’utilisation

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    18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-W ord Burst Architecture CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 38-05623 Rev . *D Revised June 2, 2008 Features ■ 18-Mbit density (2M x 8, 2M x 9, 1M x 18, 512K x 36) ■ 300 MHz clock for hi[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 2 of 31 Logic Block Diagram (CY7C1392BV18) Logic Block Diagram (CY7C1992BV18) 1M x 8 Array CLK A (19:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [7:0] Read Add. Decode Read Data Reg. LD Q [7:0] Reg. Reg. Reg. 8 8 16 8 NWS [1:0] V REF Write Add. Decode Wri te D[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 3 of 31 Logic Block Diagram (CY7C1393BV18) Logic Block Diagram (CY7C1394BV18) 512K x 18 Array CLK A (18:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add. Decode Read Data Reg. LD Q [17:0] Reg. Reg. Reg. 18 36 18 BWS [1:0] V REF Write Add. Decode Wri[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 4 of 31 Pin Configuration The pin configuration for CY7C1392BV18, CY7C1992 BV18, CY7C1393BV18, and CY7 C1394BV18 follows. [1] 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1 .4 mm) Pinout CY7C1392BV18 (2M x 8) 123456789 10 11 A CQ NC/72M A R/W NWS 1 K NC/144M LD A NC/36M CQ B NC NC[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 5 of 31 CY7C1393BV18 (1M x 18) 123456789 10 11 A CQ NC/144M NC/36M R/W BWS 1 K NC/28 8M LD A NC/72M CQ B NC Q9 D9 A NC K BWS 0 AN C N C Q 8 C NC NC D10 V SS AAA V SS NC Q7 D8 D NC D1 1 Q1 0 V SS V SS V SS V SS V SS NC NC D7 E NC NC Q1 1 V DDQ V SS V SS V SS V D[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 6 of 31 Pin Definitions Pin Name IO Pin Descripti on D [x:0] Input- Synchronous Data Input Signals. Sampled on the rising edge of K and K clocks during val id write opera tions. CY7C1392BV18 - D [7:0] CY7C1992BV18 - D [8:0] CY7C1393BV18 - D [17:0] CY7C1394BV18 [...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 7 of 31 CQ Echo Clock CQ is Referenced with Respect to C . This is a free-running clock and is synchronized to th e input clock for output data (C) of the DDR-II. In the single clock mode, CQ is generated with respect to K. The timi ngs for the echo clocks is s[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 8 of 31 Functional Overview The CY7C1392BV18, CY7C1992BV18, CY7C1393 BV18, and CY7C1394BV18 are synchronous pipelined Burst SRAMs equipped with a DDR-II Separate IO interface . Accesses are initiated on the ri sing edge of the positive input clock (K). All sync[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 9 of 31 DLL These chips use a Delay Lock Loop (DLL) that is design ed to function between 120 MHz a nd the specified maximum clock frequency . During power up, when the DOF F is tied HIGH, the DLL is locked after 1024 cycles of st able clock. The DLL can also b[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 10 of 31 T ruth T able The truth table for CY7C1392BV18, CY7C1992BV 18, CY7C1393BV18, and CY7C1394BV18 follo ws. [2, 3, 4, 5, 6, 7] Operation K LD R/W DQ DQ Write Cycle: Load address; wait one cycle; input write data on consecutive K and K rising edges. L-H L L[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 1 1 of 31 Write Cycle Descriptions The write cycle description tabl e for CY7C1992BV18 follows. [2, 8] BWS 0 K K L L–H – During the data portion of a write sequence, the single b yte (D [8:0] ) is written into the device. L – L –H During the data portio[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 12 of 31 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial boundary scan T est Access Port (T AP) in the FBGA p ackage. This part is fully comp liant with IEEE S tandard #1 149.1-2001. The T AP operates usin g JEDEC standard 1.8V IO log[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 13 of 31 IDCODE The IDCODE instruction loads a vendor-specific, 32-bi t code into the instruction re gister . It also place s the instruction register between the TDI and TDO pins and shifts the IDCODE out of the device when the T AP controller enters the Shift[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 14 of 31 T AP Controller St ate Diagram The state diagram for the T AP controller follows. [9] TEST -LOGIC RESET TEST -LOGIC/ IDLE SELECT DR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -DR EXIT1-DR P AUSE-DR EXIT2-DR UPDA TE-DR 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 15 of 31 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristics Over the Operating Range [10, 1 1, 12] Parameter Description T est Conditions Min Max Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.0 mA 1.4 V V OH2 Output HIGH V oltage I OH = − 100 μ A1 [...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 16 of 31 T AP AC Switching Characteristics Over the Operating Range [13, 14] Parameter Description Min Max Unit t TCYC TCK Clock Cycle Time 50 ns t TF TCK Clock Frequency 20 MHz t TH TCK Clock HIGH 20 ns t TL TCK Clock LOW 20 ns Setup Times t TMSS TMS Setup to [...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 17 of 31 Identification R egi ster Definitions Instruction Field Va l u e Description CY7C1392BV18 CY7C1992BV18 CY7 C1393BV18 CY7C1394BV18 Revision Numb er (31:29) 000 000 000 000 V ersion number . Cypress Device ID (28:12) 1 10 10100010000101 1 1010100010001 1[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 18 of 31 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bum p ID 0 6R 27 1 1H 54 7B 81 3G 1 6P 28 10G 55 6B 82 2G 26 N 2 9 9 G 5 6 6 A 8 3 1 J 3 7P 30 1 1F 57 5B 84 2J 4 7N 31 1 1G 58 5A 85 3K 57 R 3 2 9 F 5 9 4 A 8 6 3 J 6 8R 33 10F 60 5C [...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 19 of 31 Power Up Sequence in DDR-II SRAM DDR-II SRAMs must be power ed up and initialized in a predefined manner to prevent unde fined operations. Power Up Sequence ■ Apply power and drive DO FF either HIGH or LOW (all other inputs can be HIGH or LOW). ❐ A[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 20 of 31 Maximum Ratings Exceeding maximum ratin gs may impair the useful life o f the device. These user guidelines are not teste d. S torage T emperature ........................ ......... –65°C to +150°C Ambient T empe r at ur e with Power Appl i ed. . ?[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 21 of 31 I DD [19] V DD Operating Supply V DD = Max, I OUT = 0 mA, f = f MAX = 1/t CYC 200 MHz (x8) 575 mA (x9) 575 (x18) 600 (x36) 630 167 MHz (x8) 485 mA (x9) 490 (x18) 500 (x36) 540 I SB1 Automatic Power Down Current Max V DD , Both Ports Deselected, V IN ?[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 22 of 31 Cap acit ance T ested initially and after any design or process change that may affect these parameters. Parameter Description T est Condition s Max Unit C IN Input Capacitance T A = 25 ° C, f = 1 MHz, V DD = 1.8V , V DDQ = 1.5V 5 pF C CLK Clock Input[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 23 of 31 Switching Characteristics Over the Operating Range [20, 21] Cypress Parameter Consor tium Parameter Description 300 MHz 278 MHz 250 MHz 20 0 MHz 167 MHz Unit Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max t POWER V DD (T ypical) to the First Access [22] 11111[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 24 of 31 Output T imes t CO t CHQV C/C Clock Rise (or K/K in single clock mode) to Data V alid – 0.45 – 0.45 – 0.45 – 0.45 – 0.50 ns t DOH t CHQX Data Output Hold af ter Output C/C Clock Rise (Active to Active) –0.45 – – 0.45 – –0.45 – –[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 25 of 31 Switching W aveforms Figure 5. Read/Write/Deselect Sequence [2 6, 27, 28 ] K 123 4 5 6 7 8 K LD R/W A Q D C C# READ (burst of 2) READ (burst of 2) READ (burst of 2) WRITE (burst of 2) WRITE (burst of 2) t KHCH t KHCH NOP NOP CQ CQ# t KH t KHKH t CO t K[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 26 of 31 Ordering Information Not all of the speed, package, and temper ature ranges are available. Please cont act your local sale s representative or visit www .cypress.com for actual products offered. Spee d (MHz) Ordering Code Package Diagram Package T ype [...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 27 of 31 250 CY7C1392BV18-250BZC 51-85180 165-Ball F ine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Commercial CY7C1992BV18-250BZC CY7C1393BV18-250BZC CY7C1394BV18-250BZC CY7C1392BV18-250BZXC 51-85180 165-Ball Fine Pi tch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Fre[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 28 of 31 167 CY7C1392BV18-167BZC 51-85180 165-Ball F ine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Commercial CY7C1992BV18-167BZC CY7C1393BV18-167BZC CY7C1394BV18-167BZC CY7C1392BV18-167BZXC 51-85180 165-Ball Fine Pi tch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Fre[...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 29 of 31 Package Diagram Figure 6. 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm), 51-85180 A 1 PIN 1 CORNER 15.00±0.10 13.00±0.10 7.00 1.00 Ø0.50 (165X) Ø 0 . 2 5MCAB Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.35±0.06 SEATING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C PIN 1 CORNER TOP VIEW BOTTOM [...]

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    CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY7C1394BV18 Document #: 38-05623 Rev . *D Page 30 of 31 Document History Page Document Title: CY7C1392BV18/CY7C1992BV18/CY7C13 93BV18/C Y7C139 4BV18 , 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture Document Number: 38-05623 Rev . ECN No. Submission Date Orig, of Change Description of Change ** 252474 See[...]

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    Document #: 38-05623 Rev . *D Revised June 2, 2008 Page 31 of 31 QDR RAMs an d Quad Data Rate RAMs comp rise a new family of product s developed by Cypress, I DT , NEC, Rene sas, and Samsung . All pr od uct and comp any names ment ioned in th is document are the tr ad emarks of their respe ctive hold ers. CY7C1392BV18, CY7C1992BV18 CY7C1393BV18, CY[...]