Cypress Semiconductor CY7C1333H manuel d'utilisation

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Un bon manuel d’utilisation

Les règles imposent au revendeur l'obligation de fournir à l'acheteur, avec des marchandises, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1333H. Le manque du manuel d’utilisation ou les informations incorrectes fournies au consommateur sont à la base d'une plainte pour non-conformité du dispositif avec le contrat. Conformément à la loi, l’inclusion du manuel d’utilisation sous une forme autre que le papier est autorisée, ce qui est souvent utilisé récemment, en incluant la forme graphique ou électronique du manuel Cypress Semiconductor CY7C1333H ou les vidéos d'instruction pour les utilisateurs. La condition est son caractère lisible et compréhensible.

Qu'est ce que le manuel d’utilisation?

Le mot vient du latin "Instructio", à savoir organiser. Ainsi, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1333H décrit les étapes de la procédure. Le but du manuel d’utilisation est d’instruire, de faciliter le démarrage, l'utilisation de l'équipement ou l'exécution des actions spécifiques. Le manuel d’utilisation est une collection d'informations sur l'objet/service, une indice.

Malheureusement, peu d'utilisateurs prennent le temps de lire le manuel d’utilisation, et un bon manuel permet non seulement d’apprendre à connaître un certain nombre de fonctionnalités supplémentaires du dispositif acheté, mais aussi éviter la majorité des défaillances.

Donc, ce qui devrait contenir le manuel parfait?

Tout d'abord, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1333H devrait contenir:
- informations sur les caractéristiques techniques du dispositif Cypress Semiconductor CY7C1333H
- nom du fabricant et année de fabrication Cypress Semiconductor CY7C1333H
- instructions d'utilisation, de réglage et d’entretien de l'équipement Cypress Semiconductor CY7C1333H
- signes de sécurité et attestations confirmant la conformité avec les normes pertinentes

Pourquoi nous ne lisons pas les manuels d’utilisation?

Habituellement, cela est dû au manque de temps et de certitude quant à la fonctionnalité spécifique de l'équipement acheté. Malheureusement, la connexion et le démarrage Cypress Semiconductor CY7C1333H ne suffisent pas. Le manuel d’utilisation contient un certain nombre de lignes directrices concernant les fonctionnalités spécifiques, la sécurité, les méthodes d'entretien (même les moyens qui doivent être utilisés), les défauts possibles Cypress Semiconductor CY7C1333H et les moyens de résoudre des problèmes communs lors de l'utilisation. Enfin, le manuel contient les coordonnées du service Cypress Semiconductor en l'absence de l'efficacité des solutions proposées. Actuellement, les manuels d’utilisation sous la forme d'animations intéressantes et de vidéos pédagogiques qui sont meilleurs que la brochure, sont très populaires. Ce type de manuel permet à l'utilisateur de voir toute la vidéo d'instruction sans sauter les spécifications et les descriptions techniques compliquées Cypress Semiconductor CY7C1333H, comme c’est le cas pour la version papier.

Pourquoi lire le manuel d’utilisation?

Tout d'abord, il contient la réponse sur la structure, les possibilités du dispositif Cypress Semiconductor CY7C1333H, l'utilisation de divers accessoires et une gamme d'informations pour profiter pleinement de toutes les fonctionnalités et commodités.

Après un achat réussi de l’équipement/dispositif, prenez un moment pour vous familiariser avec toutes les parties du manuel d'utilisation Cypress Semiconductor CY7C1333H. À l'heure actuelle, ils sont soigneusement préparés et traduits pour qu'ils soient non seulement compréhensibles pour les utilisateurs, mais pour qu’ils remplissent leur fonction de base de l'information et d’aide.

Table des matières du manuel d’utilisation

  • Page 1

    PRELIMINARY 2-Mbit (64K x 32) Flow-Through SRAM with NoBL™ Architecture CY7C1333H Cypress Semiconductor Corpora tion • 3901 North First S treet • San Jose , CA 95134 • 408-943-26 00 Document #: 001-00209 Rev . ** Revised April 1 1, 2005 Features • Can support up to 133 -MHz bus operations with zero wait st ates. — Data is transferred on[...]

  • Page 2

    PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 2 of 12 Selection Guide CY7C1333H-133 CY7C1333H-100 Unit Maximum Access T i me 6.5 8.0 ns Maximum Operating Current 225 205 mA Maximum CMOS S tandby Current 40 40 mA Shaded area cont ains advance inf ormation. Plea se con tact your local Cypr ess sales repr esent ative for availability of th[...]

  • Page 3

    PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 3 of 12 Pin Definitions (100-pin TQFP Package) Name I/O Descriptio n A 0 , A 1 , A Input- Synchronous Address Inputs used to s elect one of the 64K address locations . Sampled at the rising edge of the CLK. A [1:0] are fed to the two-bit burst counter . BW [A:D] Input- Synchronous Byte Wr it[...]

  • Page 4

    PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 4 of 12 Functional Overview The CY7C1333H is a synchronous flow-through burst SRAM designed specifically to el iminate wait states during Write-Read transitions. All synchronous inputs pass through input registers controlled by the rising edge of the clock. The clock signal is qualified with[...]

  • Page 5

    PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 5 of 12 Linear Burst Address T able (MODE = GND) First Address A1, A0 Second Address A1, A0 Third Address A1, A0 Fourth Address A1, A0 00 01 10 1 1 01 10 1 1 00 10 1 1 00 01 1 1 00 01 10 Interleaved Burst Sequence First Address Second Address Third Address Fourth Address A1, A0 A1, A0 A1, A0[...]

  • Page 6

    PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 6 of 12 T ruth T able for Read/Write [2, 3] Function WE BW A BW B BW C BW D R e a d H XXXX W r i t e N o B y t e s W r i t t e n L HHHH Wri t e B y t e A – (D Q A ) L L HHH Write Byte B – (DQ B )L H L H H Wri t e By t e C – ( DQ C )L H H L H Wri t e By t e D – ( DQ D ) L HHH L Write [...]

  • Page 7

    PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 7 of 12 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide- lines, not tested.) S torage T emperature ............. .............. ...... –65°C to +150°C Ambient T emp erature with Power Applied ........... ............................ ...... –55 °C to +125°[...]

  • Page 8

    PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 8 of 12 Cap acit ance [1 1] Parameter Description T est Condition s 100 TQFP Package Unit C IN Input Capacitance T A = 25° C, f = 1 MHz, V DD = 3.3V V DDQ =3.3V 5p F C CLOCK Clock Input Capacitance 5 p F C I/O I/O Capacit ance 5 p F AC T est Loads and W aveforms Switching Characteristics Ov[...]

  • Page 9

    PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 9 of 12 Hold Times t AH Address Hold after CLK Rise 0.5 0.5 ns t ALH ADV/LD Hold after CLK Rise 0.5 0.5 ns t WEH WE , BW [A:D] Hold after CLK Rise 0.5 0.5 ns t CENH CEN Hold after CLK Rise 0.5 0.5 ns t DH Data Input Hold af ter CLK Rise 0.5 0.5 ns t CEH Chip Enable Hold after CLK Rise 0.5 0.[...]

  • Page 10

    PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 10 of 12 NOP , ST ALL and DESELECT Cycles [18, 19 , 21 ] ZZ Mode T iming [22, 23] Switching W aveforms (continued) READ Q(A3) 456789 1 0 A3 A4 A5 D(A4) 123 CLK CE WE CEN BW [A:B] ADV/LD ADDRESS DQ C OMMAND WRITE D(A4) STALL WRITE D(A1) READ Q(A2) STALL NOP READ Q(A5) DESELECT CONTINUE DESELE[...]

  • Page 11

    PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 1 1 of 12 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 04 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce. C ypr ess S em ic onduct or Corporation assumes no resp onsibility f or the u se of any circuitry o ther than circui try embodied i n a Cypress pr[...]

  • Page 12

    PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 12 of 12 Document History Page Document Title: CY7C1333H 2-Mbit (64K x 32 ) Fl ow-Through SRAM with NoBL™ A rchitecture Document Numb er: 001-00209 REV . ECN NO. Issue Date Orig. of Change Description of Cha ng e ** 347377 See ECN PCI New Datasheet [+] Feedback[...]