Cypress CY14B104N Bedienungsanleitung

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25

Zur Seite of

Richtige Gebrauchsanleitung

Die Vorschriften verpflichten den Verkäufer zur Übertragung der Gebrauchsanleitung Cypress CY14B104N an den Erwerber, zusammen mit der Ware. Eine fehlende Anleitung oder falsche Informationen, die dem Verbraucher übertragen werden, bilden eine Grundlage für eine Reklamation aufgrund Unstimmigkeit des Geräts mit dem Vertrag. Rechtsmäßig lässt man das Anfügen einer Gebrauchsanleitung in anderer Form als Papierform zu, was letztens sehr oft genutzt wird, indem man eine grafische oder elektronische Anleitung von Cypress CY14B104N, sowie Anleitungsvideos für Nutzer beifügt. Die Bedingung ist, dass ihre Form leserlich und verständlich ist.

Was ist eine Gebrauchsanleitung?

Das Wort kommt vom lateinischen „instructio”, d.h. ordnen. Demnach kann man in der Anleitung Cypress CY14B104N die Beschreibung der Etappen der Vorgehensweisen finden. Das Ziel der Anleitung ist die Belehrung, Vereinfachung des Starts, der Nutzung des Geräts oder auch der Ausführung bestimmter Tätigkeiten. Die Anleitung ist eine Sammlung von Informationen über ein Gegenstand/eine Dienstleistung, ein Hinweis.

Leider widmen nicht viele Nutzer ihre Zeit der Gebrauchsanleitung Cypress CY14B104N. Eine gute Gebrauchsanleitung erlaubt nicht nur eine Reihe zusätzlicher Funktionen des gekauften Geräts kennenzulernen, sondern hilft dabei viele Fehler zu vermeiden.

Was sollte also eine ideale Gebrauchsanleitung beinhalten?

Die Gebrauchsanleitung Cypress CY14B104N sollte vor allem folgendes enthalten:
- Informationen über technische Daten des Geräts Cypress CY14B104N
- Den Namen des Produzenten und das Produktionsjahr des Geräts Cypress CY14B104N
- Grundsätze der Bedienung, Regulierung und Wartung des Geräts Cypress CY14B104N
- Sicherheitszeichen und Zertifikate, die die Übereinstimmung mit entsprechenden Normen bestätigen

Warum lesen wir keine Gebrauchsanleitungen?

Der Grund dafür ist die fehlende Zeit und die Sicherheit, was die bestimmten Funktionen der gekauften Geräte angeht. Leider ist das Anschließen und Starten von Cypress CY14B104N zu wenig. Eine Anleitung beinhaltet eine Reihe von Hinweisen bezüglich bestimmter Funktionen, Sicherheitsgrundsätze, Wartungsarten (sogar das, welche Mittel man benutzen sollte), eventueller Fehler von Cypress CY14B104N und Lösungsarten für Probleme, die während der Nutzung auftreten könnten. Immerhin kann man in der Gebrauchsanleitung die Kontaktnummer zum Service Cypress finden, wenn die vorgeschlagenen Lösungen nicht wirksam sind. Aktuell erfreuen sich Anleitungen in Form von interessanten Animationen oder Videoanleitungen an Popularität, die den Nutzer besser ansprechen als eine Broschüre. Diese Art von Anleitung gibt garantiert, dass der Nutzer sich das ganze Video anschaut, ohne die spezifizierten und komplizierten technischen Beschreibungen von Cypress CY14B104N zu überspringen, wie es bei der Papierform passiert.

Warum sollte man Gebrauchsanleitungen lesen?

In der Gebrauchsanleitung finden wir vor allem die Antwort über den Bau sowie die Möglichkeiten des Geräts Cypress CY14B104N, über die Nutzung bestimmter Accessoires und eine Reihe von Informationen, die erlauben, jegliche Funktionen und Bequemlichkeiten zu nutzen.

Nach dem gelungenen Kauf des Geräts, sollte man einige Zeit für das Kennenlernen jedes Teils der Anleitung von Cypress CY14B104N widmen. Aktuell sind sie genau vorbereitet oder übersetzt, damit sie nicht nur verständlich für die Nutzer sind, aber auch ihre grundliegende Hilfs-Informations-Funktion erfüllen.

Inhaltsverzeichnis der Gebrauchsanleitungen

  • Seite 1

    CY14B104L, CY14B104N 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-07102 Rev . *L Revised December 19, 2008 Features ■ 20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times ■ Internally organized as 512K x 8 (CY14B104L) or 256K x 16 (CY14B104N) ■ Hands[...]

  • Seite 2

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 2 of 25 Pinout s Figure 1. Pin Diagram - 48 FBG A Figure 2. Pin Diag ram - 44 Pin TSOP II WE V CC A 11 A 10 V CAP A 6 A 0 A 3 CE NC NC DQ 0 A 4 A 5 NC DQ 2 DQ 3 NC V SS A 9 A 8 OE V SS A 7 NC NC NC A 17 A 2 A 1 NC V CC DQ 4 NC DQ 5 DQ 6 NC DQ 7 NC A 15 A 14 A 13 A 12 HSB 3 2 6 5 4 1 D E B A C[...]

  • Seite 3

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 3 of 25 Figure 3. Pin Diagram - 54 Pi n TSOP II (x16) Pin Definitions Pin Name IO T ype Description A 0 – A 18 Input Address Inputs Used to Select one of the 524,288 bytes of the nvSRAM for x8 Co nfiguration . A 0 – A 17 Address Inputs Used to Select one of the 262,144 words of the n vSRA[...]

  • Seite 4

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 4 of 25 Device Operation The CY14B104L/CY1 4B104N nvSRAM is made up of two functional components paired in the same physical cell. They are an SRAM memory cell and a nonvola tile QuantumTrap cell. The SRAM memory cell operates as a standard fast static RAM. Data in the SRAM is transferred to [...]

  • Seite 5

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 5 of 25 Hardware RECALL (Power Up) During power up or after any low power condition (V CC <V SWITCH ), an internal RECALL re quest is latched. When V CC again exceeds the sense voltage of V SWITCH , a RECALL cycle is automatically initiated and takes t HRECALL to complete. During this time[...]

  • Seite 6

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 6 of 25 Preventing AutoStore The AutoS t ore function is disabled by initiating an AutoS tore disable sequence. A sequence of read ope rations is performed in a manner similar to the software STORE initiation. T o initiate the AutoS tore disa ble sequence, the following sequence o f CE contro[...]

  • Seite 7

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 7 of 25 Maximum Ratin gs Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guid elines are not tested. S torage T emperature ................ ................. –65 ° C to +150 ° C Maximum Accumulated Storage T ime At 150 ° C Ambient T emperature .............[...]

  • Seite 8

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 8 of 25 AC T est Conditions Input Pulse Levels .... ............................ .................... 0V to 3V Input Rise and Fall T imes (10% - 90%).................... .... < 3 ns Input and Output T iming Reference Levels . ................... 1.5V Dat a Retention and Endurance Parameter[...]

  • Seite 9

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 9 of 25 AC Switching Characteristics Parameters Descr iption 20 ns 25 ns 45 ns Unit Cypress Parameters Alt Parameters Min Max Min Ma x Min Max SRAM Read Cycle t ACE t ACS Chip Enable Access Time 20 25 45 ns t RC [14] t RC Read Cycle T ime 20 25 45 ns t AA [15] t AA Address Access T ime 20 25 [...]

  • Seite 10

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 10 of 25 Figure 7. SRAM Rea d Cycle #2: CE and OE Controlle d [3, 14, 18] Figure 8. SRAM Write Cycle #1: WE Controlled [3, 17, 18, 19] $GGUHVV9D OLG $G GUH VV 'DWD2XWSXW 2XWS XW 'DWD9D OL G 6WDQG E $FWLYH +L JK ,P S HG DQFH &( 2( %+(%/ ( , && W +=&a[...]

  • Seite 11

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 1 1 of 25 Figure 9. SRAM Write Cycle #2: CE Controlled [3 , 17, 18, 19] Figure 10. SRAM Write Cycle #3: BHE and BLE Controlled [3, 17, 18, 19] D ata Ou tput Da ta Inpu t In put D ata Va li d High Impedance Ad d res s Va lid Ad dre ss t WC t SD t HD BHE , BLE WE CE t SA t SCE t HA t BW t PWE &[...]

  • Seite 12

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 12 of 25 AutoStore/Power Up RECALL Parameters Description CY14B104L/CY14B1 04N Unit Min Max t HRECALL [20] Power Up RECALL Duration 20 ms t STORE [21] ST ORE Cycle Duration 8 ms t DELA Y [22] Time Allowed to Complete SRAM Cycle 1 70 μ s V SWITCH Low V oltage Trigger Level 2.65 V t VCCRISE VC[...]

  • Seite 13

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 13 of 25 Sof tware Controlled STORE/RECALL Cycle In the following table, the so ftware c o ntrolled STORE/RECALL cycle p arameters are listed. [25, 26] Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t RC STORE/RECALL Initiation Cycle T ime 20 25 45 ns t SA Address Setup[...]

  • Seite 14

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 14 of 25 Hardware STORE Cycle Parameters Description CY14 B104L/CY14B104N Unit Min Max t PHSB Hardware ST ORE Pulse Width 15 ns t HLBL Hardware ST ORE LOW to STORE Busy 500 ns Switching W aveforms Figure 14. Hardware STORE Cycle [21] Figure 15. Soft Sequence Processi ng [27, 28] W 3+6% W 3+6 [...]

  • Seite 15

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 15 of 25 T ruth T able For SRAM Operations HSB should remain HIGH for SRAM Operations. For x8 Configuration CE WE OE Inputs/Outputs [2 ] Mode Power H X X High Z Deselect/Power down S tandby L H L Data Out (DQ 0 –DQ 7 ); Read Active L H H High Z Output Disabled Active L L X Data in (DQ 0 –[...]

  • Seite 16

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 16 of 25 Ordering Information Speed (ns) Ordering Code Package Diagram Package T ype Operating Range 20 CY14B104L-ZS20XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B104L-ZS20XIT 51-85087 44-pin TSOP II Industrial CY14B104L-ZS20XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B104L-BA20XCT 51-85128 48-ball FBGA Co[...]

  • Seite 17

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 17 of 25 45 CY14B104L-ZS45XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B104L-ZS45XIT 51-85087 44-pin TSOP II Industrial CY14B104L-ZS45XI 51-85087 44-p in TSOP II CY14B104L-BA45XCT 51-85128 48-ball FBGA Commercial CY14B104L-BA45XIT 51-85128 48-b all FBGA Industrial CY14B104L-BA45XI 51-85128 48-b[...]

  • Seite 18

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 18 of 25 Part Numbering Nomenclature Option: T - T ape & Reel Blank - S td. S peed: 20 - 20 ns 25 - 25 ns Data Bus: L - x8 N - x16 Density: 104 - 4 Mb V oltage: B - 3.0V Cypress CY 14 B 104 L - ZS P 20 X C T NVSRAM 14 - Auto Store + Software Store + Hardware Store T emperature: C - Commer[...]

  • Seite 19

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 19 of 25 Package Diagrams Figure 16. 44-Pin TSOP II (51-85087) MAX MIN. DIMENSION IN MM (INCH) 11.938 (0.470) PLANE SEATING PIN 1 I.D. 44 1 18.517 (0.729) 0.800 BSC 0° -5° 0.400(0.016) 0.300 (0.012) EJECTOR PIN R G O K E A X S 11.735 (0.462) 10.058 (0.396) 10.262 (0.404) 1.194 (0.047) 0.991[...]

  • Seite 20

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 20 of 25 Figure 17. 48 -Ball FBGA - 6 mm x 10 m m x 1.2 mm (51 -85128) Package Diagrams (continued) A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.20 MAX C SEATING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C A1 CORNER TOP VIEW BOTTOM VIEW 2 3 4 3.75 5.25 B C [...]

  • Seite 21

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 21 of 25 Figure 18. 54-Pin TSOP II (51-85160) Package Diagrams (continued) 51-85160 -** [+] Feedback[...]

  • Seite 22

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 22 of 25 Document History Page Document Title: CY14B104L/CY14B104N 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Document Number: 001-07102 Rev . ECN No. Submission Date Orig. of Change Description of Cha nge ** 431039 See ECN TUP New Data Sheet *A 489096 See ECN TUP Removed 48 SSOP Package Added 48 FBG[...]

  • Seite 23

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 23 of 25 *F 1889928 See ECN vsutmp8/AE- SA Added Footnotes 1, 2 and 3. Updated logi c block diagram Added 48-FBGA (X8) Pin Dia gram Changed 8Mb Address expansion Pin from Pin 43 to Pin 42 for 44-TSOP II (x8). Updated pin definitions table. Corrected typo in V IL min spec Changed the value of [...]

  • Seite 24

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 24 of 25 *J 2600941 1 1/04/08 GVCH/PYRS Removed 15 n s access speed Updated Logi c block diagra m Updated footnote 1 Added footnote 2 and 5 Pin definition: Updated WE , HSB and NC pin description Page 4:Updated SRAM READ, SRAM WRIT E, Autostore op eration description Page 4:Updated Hardware s[...]

  • Seite 25

    Document #: 001-07102 Rev . *L Revised December 19, 2008 Page 25 of 25 AutoS tore and QuantumT rap are registered tradem arks of Cypress Semico nductor Corpora tion. All product s and company names mentio ned in this document are th e trad emarks of the ir resp ectiv e holders. CY14B104L, CY14B104N © Cypress Semicondu ctor Corpor ation, 2006-2008.[...]